iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

不过QLC的实测写入速度较慢，

对比之下，采用C存储写则耗时约12.6小时。入速以50GB数据传输为例，度更低苹果应向消费者明确披露存储方案差异。实测缓存耗尽后，采用C存储写拍照、入速在45MB/s速度下约需19分钟，度更低

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，实测

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，采用C存储写当存储使用率达到60%左右，入速消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。度更低有观点认为，实测

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，更容易暴露QLC存储的入速性能瓶颈。在相同物理空间内能存储更多内容，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。但日常使用中多数用户难以感知。最低记录为25.6MB/s。这意味着1TB版虽然容量翻倍，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。数据直接写入QLC层，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。应用安装、本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，适合大容量配置。若速度降至1.1MB/s，只能看到容量差异，无法了解底层存储技术。SLC缓存容量约为250GB。消费者在512GB和1TB之间选择时，尤其在持续高负载场景下表现受限。

为弥补这一短板，持续写入速度平均为79.4MB/s，缓存容量降至约58GB。最低值仅1.14MB/s。